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MOS管驱动电路需求

发布日期:2021-09-30 点击次数:3032
如今的MOS驱动,有几个非常的要求:
1. 低压运用
当应用5V开关电源,此刻假如采用传统式的图腾柱构造,因为三极管的be仅有0.7V上下的损耗,造成 具体最后载入gate上的电压仅有4.3V,此刻,大家采用允差gate电压4.5V的MOS管就存有一定的风险性。一样的情况也出现在应用3V或是别的低压开关电源的场所。
2. 宽电压运用
键入电压并没有一个数值,它会由于時间或是其它要素而变化。这一变化造成 PWM电路给予给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了更好地让MOS管在高gate电压下安全性,许多MOS管内嵌了稳压管强制限定gate电压的幅度值。在这样的情形下,当带来的驱动电压超出稳压管的电压,就会造成很大的静止功能损耗。
与此同时,假如简易的用电阻分压的基本原理减少gate电压,就会发生键入电压较为高的情况下,MOS管工作中优良,而键入电压减少的情况下gate电压不够,造成通断不足完全,进而提升功能损耗。
3. 双电压运用
在一些控制回路中,逻辑性一部分应用典型性的5V或3.3V数据电压,而输出功率一部分应用12V乃至更多的电压。2个电压选用共地方法联接。
这就明确提出一个规定,必须运用一个电源电路,让低压侧可以合理的操纵髙压侧的MOS管,与此同时髙压侧的MOS管也一样会应对1和2提及的难题。
在这里三种情形下,图腾柱构造不能满足輸出要求,而许多现有的MOS驱动IC,好像都没有包括gate电压限定的构造。
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